Electronique Ultime.

Nouvelle génération de transistor à double grille en T sur substrat InP, fabriqué à l’IEMN par collage et report de deux substrats différents. La dimension caractéristique de grille est de 80nm et l’alignement des deux grilles de chaque côté du canal conducteur est excellent (vue au microscope électronique).

Photonique ultra-compacte et nouveaux circuits photoniques intégrés à base de cristaux photoniques.

Dispositif de couplage d’un guide et d’une micro-cavité résonnante réalisé au LPN (2003), permettant d’obtenir la fonction de filtrage en longueur d’onde sur des dimensions extrêmement réduites ( 1-10µm) en comparaison des composants optiques actuels ( 100µm), grâce au cristal photonique. La densité potentielle des futurs circuits photoniques intégrés pourrait être augmenté d’un facteur > 100.

Nanobiosiences.

Dispositif de nanoadressage à base d’électrodes interdigitées réalisé au LAAS (2003), permettant d’identifier des particules en fonction de la réponse électrique des nano-électrodes au passage de celles-ci. Ici les électrodes de 30nm détectent des particules de dimensions caractéristiques 100nm. Le domaine d’application est le test immunologique et la détection d’anticorps qui peuvent être marqués par des nanoparticules métalliques.